Високо сигурна и самостојно дизајнирана D2PAK (TO-263) SiC диода

Високо сигурна и самостојно дизајнирана слика од SiC диода D2PAK (TO-263)

Краток опис:

Структура на пакувањето: D2PAK (TO-263)

Вовед: YUNYI D2PAK (TO-263) SiC диода, изработена од силициум карбидни материјали, има висока топлинска спроводливост, што може ефикасно да ја подобри густината на моќност. Високата јачина на полето на дефект на SiC диодите го зголемува напонот на отпор и ја намалува големината, а високата јачина на полето на дефект на електроните го зголемува напонот на дефект на полупроводничките енергетски уреди. Во исто време, поради зголемувањето на јачината на полето на дефект на електроните, во случај на зголемување на густината на пенетрација на нечистотии, широкопојасниот опсег на дрифт-регионот на уредот за напојување со SiC диода може да се намали, така што може да се намали големината на уредот за напојување.

Испратете ни е-пошта

Детали за производот

Мониторинг на времето на одговор

Мерен опсег

Ознаки на производи

Предности на SiC диодата D2PAK (TO-263) од YUNYI:

1. Ниска индуктивност

2. Конкурентна цена со квалитет на високо ниво.

3. Висока ефикасност на производството со кратко време на испорака.

4. Мала големина, помагајќи да се оптимизира просторот на печатената плочка

Чекори за производство на чипови:

1. Механичко печатење (суперпрецизно автоматско печатење на плочки)

2. Автоматско прво бакирање (опрема за автоматско бакирање, CPK>1.67)

3. Автоматски тест за поларитет (прецизен тест за поларитет)

4. Автоматско склопување (саморазвиено автоматско прецизно склопување)

5. Лемење (Заштита со мешавина од азот и водород, вакуумско лемење)

6. Автоматско второ јорганизирање (Автоматско второ јорганизирање со ултрачиста вода)

7. Автоматско лепење (Униформно лепење и прецизно пресметување се реализираат со опрема за автоматско прецизно лепење)

8. Автоматски термички тест (Автоматски избор од страна на термички тестер)

9. Автоматски тест (мултифункционален тестер)

Параметри на производите:

Број на дел	Пакет	VRWM V	IO A	ИФЗМ A	IR μa	V_F V
ZICRB5650	D2PAK	650	5	60	60	2
ZICRB6650	D2PAK	650	6	60	50	2
Z3D06065G	D2PAK	650	6	70	3 (типично 0,03)	1,7 (типично 1,5)
ZICRB10650CT	D2PAK	650	10	60	60	1.7
ZICRB10650	D2PAK	650	10	110	100	1.7
Z3D10065G	D2PAK	650	10	115	40 (типично 0,7)	1,7 (типично 1,45)
ZICRB20650A	D2PAK	650	20	70	100	1.7
ZICRB101200	D2PAK	1200	10	110	100	1,8
ZICRB12600	D2PAK	600	12	50	150	1.7
ZICRB12650	D2PAK	650	12	50	150	1.7
Z3D30065G	D2PAK	650	30	255	140 (4 типични)	1,7 (типично 1,4)
Z4D05120G	D2PAK	1200	5	19	200 (типично 20)	1,8 (типично 1,65)
Z4D20120G	D2PAK	1200	20	162	200 (типично 35)	1,8 (типично 1,5)
Z3D20065G	D2PAK	650	20	170	50 (типично 1,5)	1,7 (типично 1,45)
Z3D06065L	DFN8×8	650,0	6.0	70,0	3 (типично 0,03)	1,7 (типично 1,5)